Главная »  Типы приемников 

1 ... 4 5 6 7 8 9 10 ... 13

положение рабочей точки (главным образом при изменении температуры). Для повышения стабильности положения рабочей точки целесообразно соединять цепь питания каскада с источником стабильного напряжения (включить в цепь питания стабилитрон).

>

и

C10J}f

ь

75 Сп

Т1 -1,8 в

0,05

1дн Яд Ш

07.-38 1,0x105 *

1,5м <


R3 т

Рис. 38. Преобразователь на биполярном транзисторе

Рис. 39. Смеситель на биполярном транзисторе

.Активный элемент выполняет в схеме две функции: питает контур энергией, что компенсирует потери в нем и поддерживает незатухающие колебания, и работает как смеситель колебаний. В преобразователях на биполярных транзисторах по отношению к сигналу используют схему включения с общим эмиттером, что обеспечивает максимальное усиление преобразуемого сигнала. Для этого рабочую точку выбирают в середине рабочего участка проходной характеристики. Для лучшей работы маломощного генератора - гетеродина стараются уменьшить потери в контуре, используют транзистор с высокой граничной частотой в 5-ГО раз выше рабочей, позволяющей генерировать максимальные частоты. В схеме рис. 38,для нормальной работы преобразователя подбирают режим гетеродина таким образом, чтобы между базой и эмиттером действовало напряжение £/гет около 80-120 мВ. Его можно измерить на резисторе R2.

Смесители на биполярных транзисторах. У преобразователей на биполярных транзисторах имеются существенные недостатки. Основной из них -- влияние входной (сигнальной) цепи на работу гетеродина из-за значительных междуэлектродных емкостей (проводимостей). Эти связи оказывают дестабилизирующее воздействие и расстраивают контур гетеродина. Через эти же связи напряжение гетеродина проникает во входную цепь и далее в антенну. Наилучшее преобразование происходит при вполне определенном напряжении гетеродина. Дело в том, что при перемещении рабочей точки по характеристике, она заходит в область малых и больших токов, поэтому средний ток через транзистор изменяется. Как и у других активных элементов, средний ток больше при увеличенном напряжении гетеродина и при большей крутизне характеристики, которая в общем случае отражает приращение тока при единичном приращении напряжения на его управляющем электроде. При некоторых допущениях она может определяться и для биполярных транзисторов. Генерирование колебаний происходит при несколько других значениях среднего тока через активный эле-



мент, определяемых соображениями обеспечения стабильности колебаний. При чрезмерно малых токах колебания нестабильны и могут сорваться. В смесителе оптимальное напряжение f/rex подводится от отдельного гетеродина. К достоинству смесителей относится и значительно большая развязка цепи гетеродина с цепью входа приемника.

Схема смесителя на биполярном транзисторе приведена на рис. 39. Вместо узла гетеродина в схеме имеется ВЧ трансформатор связи эмиттерной цепи с отдельным гетеродином. Элементы цепей смещения и подвода питания идентичны таким же цепям в преобразователе, причем отличия больше зависят от типа транзистора и подбора режимов. Так, например, вместо связанных контуров на выходе схемы, показанной на рис. 38, в схеме рис. 39 установлен контур с катушкой связи .L, что предполагает использование ФСС на пьезоэлементах. В приемниках с преобразователями обеспечивается меньшая стабильность частоты гетеродина, нежели в приемниках со смесителями, так как условия работы гетеродинов в последних существенно лучше. Для смесителей выбирают транзисторы с высоким значением коэффициента передачи по току h2ia, так как крутизна преобразования прямо связана с усилительными свойствами активных элементов (без учета искажений).

Рассмотрим один из распространенных способов подбора режима. Рабочую точку смесителя выбирают в центре квадратичного участка проходной характеристики, снятой для включения с общим эмиттером. При этом также стараются устанавливать ток коллектора не выше 1 мА. Крутизна преобразования для транзисторов типов П401-П403 обычно составляет в таком режиме примерно 2,5-3 мА/В.

Наиболее существенным недостатком схем преобразования на биполярных транзисторах является небольшая протяженность участков характеристик, на которых обеспечиваются сравнительно малые искажения этого процесса. Увеличение искажений наблюдается и при нарушении установленного режима по постоянному току, и при росте напряжения гетеродина, и при увеличении уровня сигнала. Таким образо.м, на преобразователь (даже при отсутствии связи управляющего электрода транзистора с цепью АРУ) оказывают воздействие многие факторы. Рассмотрим причины, влияющие на рост искажений и выбор режима для их снижения.

Искажения при преобразовании. При преобразовании t/jq = /с^нагр5пр, где 5пр = 0,5Д5м, а А5м - приращение крутизны в процессе сдвига рабочей

точки от 5макс ДО 5мин, Д5м = 1/2 (5макс-5мин). ТЗК КЗК 5мин МОЖНО СЧИ-

тать равной нулю, то Snp 1/4 5макс. Казалось бы, что значительным увеличением f/rex можно существенно увеличить эффективность процесса преобразования. Но это не так. Искажения малы до тех пор, пока крутизна характеристики изменяется по линейному закону, т. е. при изменении напряжения на управляющем электроде находится в пределах линейного участка, что соответствует изменению тока через активный элемент по квадратичному закону. На рис. 40 дан примерный вид кривой крутизны транзистора типа ,ГТ309А. Значения крутизны - в миллиамперах на вольт. Когда амплитуда напряжения гетеродина мала, напряжение не выводит рабочую точку за границы участка, который условно можно заменить прямой, вследствие чего искажения в процессе преобразования также невелики. С ростом (/гет значение максимальной крутизны превышает показанный на рис. 40. предел и искажения увеличиваются. Они становятся ощутимыми, когда f/гет превышает 0,1-0,12 В.



Пользуясь характеристикой полевого транзистора, приведенной в правой части рис. 41, можно выбрать напряжение смещения и пояснить работу смесителя, для случая малых искажений. При работе гетеродина его напряжение (здесь мы не учитываем знак - t/зи) суммируется с напряжением смещения: Ем&кс=Е+итет; Ем11п=Е-t/гет. Изменениг положения рабочей точки приводит к тому, что крутизна приобретает значения от 5макс (точка Л) до Smm (;Точка В). Как видно из рис. 41, даже без захода за напряжение отсечки напряжение Urea может превышать 3 В. Получение характеристики S по точкам и определение необходимого участка для работы трудоемко. Нужную информацию о К|рутиз,не можно получить на переменном напряжении, временно включая полевой или биполярный транзистор в схему макета УВЧ дли в каскад УВЧ, снабженный гнездами для активного элемента.

Для измерений в цепи питания по постоянному току следует ввести миллиамперметр (после соответствующего конденсатора блокировки) и потенциометр для изменения смещения на затворе полевого транзистора (соединенный с вольтметром) также после развязывающей цепочки. Сигнал (f/Bx=const) подводят от ГСС или ВЧ генератора, а к выходному контуру УВЧ подключают головку УП для измерения амплитуды ВЧ напряжения на контуре [/вых и расчета коэффициента усиления каскада К- Это напряжение связано с крутизной S зависимостью С/вых вх=-К=5/?э, где Ra - эквивалентное сопротивление контура. Зная коэффициент К (Увых при f/Bx=const) для равных приращений постоянного управляющего напряжения активного элемента можно определить верхнюю границу квадратичного участка. Нижнюю границу можно считать находящейся в зоне напряжений отсечек.

Измерения Ubmx на настроенном УВЧ, в котором предусмотрены гнезда для включения различных активных элементов, позволяют под брать необходимый режим работы не только полевого транзистора, но и сосч явного активного элемента, подобрать сопротивление канала полевого транзистора, играющего роль эмиттерного резистора биполярного транзистора. Заметим, что окончательную коррекцию режима работы узла можно провести уже на полностью смонтированном приемнике. Сдвиг рабочей точки транзистора при изменении его режима, например при действии АРУ, приходе сильного сигнала или мощной помехи, может привести к резкому возрастанию искажений. Поэтому важно, чтобы протяженность линейного участка характеристики крутизны была бы больше, т. е. крутизна изменялась линейно в больших пределах изменения напряжения, управляющего положением рабочей точки.


Рис. 40. графики, иллюстрирующие работу смесителя на биполярном транзисторе



Преобразователи и смесители на полевых транзисторах. Перед выполнением этих устройств необходимо убедиться в работоспособности ПТ. Простое приспособление для оценки их усилительных свойств содержит источники питания и потенциометр, движок которого соединен с вольтметром постоянного напряжения и гнездом панельки для подключения вывода затвора. В цепи питания стока включен миллиамперметр на 1-10 мА и вольтметр для измерения


\Шт;ть 7зи ото

Рис. 41. Графики основных характеристик полевых транзисторов:

а - семейство выходных характеристик; б - проходная или переходная характеристика

напряжения между стоком и истоком. Подавая на затвор положительное или отрицательное напряжение ступенями Af3j.j (зависит от типа полевого транзистора), можно измерить и записать ток стока и вычислить приращения тока стока, т. е. определить статическую крутизну SA/c/AC/gj при заданных напряжениях на стоке и затворе. Как показано на рис. 41, ряд характеристик полевых транзисторов, снятых при различных напряжениях, на затворе, образует семейство.

Из характеристик семейства следует, что приращения тока стока А/с при изменении напряжения на затворе значительно больше приращений тока стока Д/с (они отмечены штрихами) от изменения напряжения на стоке Uy. На том же рис. 41 справа показана проходная характеристика. Характер кривой на участке напряжений Uаналогичен квадратичной зависимости. Для КП301 эта зависимость квадратична на участке от напряжения отсечки до U =-10 В. Если приращения токов подчиняются квадратичному закону, разность квадратных корней из значений токов стока, соответствующих равным приращениям напряжения на затворе этого транзистора, должна быть одинаковой. Для напряжения затвора f/gj =-10 В ток равен 5 мА, для U-8 В - соответственно-2,5 мА, а для напряжения fgjj =-6 В равен 0,88 мА. Действительно, разности корней У Ъ - ]/2,5 и 2,5 - 0,88 равны.



Схемы перемножающих устройств на полевых транзисторах (преобразователя и смесителя) даны на рис. 42,о и б. Основная задача этих устройств: получение пчмакс низком уровне искажений и шумов. Для ее решения выбирают полевые транзисторы с низкими шумами и повышенной крутизной. При настройке схемы преобразователя, изображенной на рис. 42,а, необходимо добиться устойчивой генерации, произвести укладку диапазона ВЧ и гетеродина.

г/пиг Rf 1.5и

А1У

rj н УПЧ

7-

Т1 НПШ Ф,

С6 \ а)

или привмтиу

С 8 7~С10

и

Т1 RfJdUS --f5

GD-* -<-b

50D-8DD

Упп, S-11B

Рис. 42. Перемножающие устройства на полевых транзисторах:

а - преобразователь; б - смеситель; Д/- гнездо обычной антенны; л2 - вход симметричной антенны; Э - экран, исключающий емкостную связь катушек Ы и L2

Так как для возбуждения автоколебаний напряжение на контур гетеродина подводится через С7 с резистора R1, сопротивление этого резистора, число витков отвода от катушки L5, а также сопротивление резистора R2 подбирают, пользуясь УП с головкой. Диапазон гетеродина устанавливают с помощью ча-стото'мера, а укладку диапазона ВЧ - по внешнему ГСС, включаемому к ВЧ контуру через конденсатор С1. Напряжение t/вых при этом измеряют на вспомогательном дросселе, включенном временно между контуром ПЧ и стоком транзистора. При выключенном гетеродине обе схемы близки к обычному усилителю и этим можно воспользоваться для выбора рабочей точки. Заменив контур ПЧ в стоковой цепи на ВЧ контур можно измерить ряд напряжений fBbix при постоянном уровне входного сигнала от внешнего ГСС на некоторой частоте настройки вспомогательного контура (входной контур можно подстроить на эту частоту). Подбирая резистор истоковой цепи, напряжение питания, резистор в цепи стока можно измерить t/вых для разных режимов, определить путем построения графика характер изменения и^ых, который в данном случае идентичен изменению крутизны S. Эти значения t/вых будут изменяться от малых значений к большим, проходя некоторый линейный участок. Протяженность линейного участка определяет амплитуду f/гет для преобразования с малыми искажениями, а его середина - оптимальную рабочую точку.

Выбор оптимального режима работы преобразователя можно выполнить и иначе. Выбранный для работы полевой транзистор вначале испытывают в схеме отдельного УВЧ цри различных напряжениях на затворе, строят график f/вых, определяют оптимальный режим, а затем воспроизводят этот режим в преобразователе или смесителе. Схема смесителя изображена на рис. 42,6. Очевидно, что схему смесителя наладить проще, нежели схему преобразователя. Заметим, что сопротивление резистора R1, к подбору которого сводится налаживание схемы, в режиме усиления меньше, так как преобразование ведется



при несколько меньшей крутизне. Желательно при выборе резистора R1 одновременно контролировать средний ток стока (прибор В1ключают в цепь питания в месте, показанном знаком X). Для полевых транзисторов Типа КП302 и КПЗОЗ с индексами А и Б резистор R1 может иметь сопротивление 600- 850 Ом. Оно зависит и от амплитуды гетеродина. Для полевых транзисторов с большим начальным током стока (при U.=0) сопротивление резистора RJ берут меньше.

Смесители на двухзатворных полевых транзисторах имеют ряд преимуществ. Все они в той или иной степени проявляются за счет малой проходной емкости (сотые доли пикофарад), которая исключает сильные связи между узлами Схмесителя. Это же обстоятельство способствует и повышению стабильности работы, упрощению налаживания и настройки смесителей, выполнению цепей регулировки независимого действия. Повышение стабильности работы смесителя положительно сказывается и на стабильности настройки приемника, особенно если он содержит и стабильно работающий гетерюдин. Для питания смесителей на полевых транзисторах целесообразно использовать двухтактные гетеродины, обеспечивающие повышенное напряжение.

Основным недостатком двухзатворных полевых транзисторов является повышенный уровень собственных шумов. Этот недостаток ухудшает и шумовые свойства смесителей. Шумы двухзатворных полевых транзисторов в 2-3 раза выше шумов малошумящих (типа КПЗОЗ с индексами Д и Е). Но этот недостаток проявляется преимущественно в чувствительных приемниках без УВЧ.

Гетеродин. Обычно это маломощный генератор, который работает в диапазоне частот, обеспечивая вспомогательным напряжением смеситель. Требования к гетеродину: реализация заданного перекрытия частот, стабильность частоты, достаточность и необходимое постоянство амплитуды (в лучших конструкциях - возможность регулировки амплитуды), возможно меньшее содержание гармоник, малые собственные шумы, отсутствие паразитных колебаний, незначительное изменение частоты при действии различных дестабилизирующих факторов (в основном, температуры). К дополнительным требованиям, относящимся главным образом к гетеродинам многодиапазонных супергетеродинов, относится упрощение их перестройки, а точнее - уменьшение числа контактов в схеме. Гетеродины на биполярных транзисторах широко используются в простых приемниках (см. схему рис. 55).

Расчет гетеродина сложен, поэтому при конструировании следует рассчитать его LC контур, измерить рабочие частоты, а затем, включив контур в схему генератора, проверить режим работы ((/гет = (вых), означает отсутствие гар- МОНИК. После этогО' окончательно уточнить границы диапазона при перестройке. Малое количество гармоник обеспечивается гетеродинами, выполненными по симметричной двухтактной схеме. Хорошо налаженные генераторы такого типа нрактичеоки не содержат четных гармоник.

Сразу же укажем, что двухтактные гетеродины более мощны, нежели од-нотактные, в силу чего нежелательное пролезание (/гет в антенну и УПЧ может увеличиться. Поэтому такие гетеродины целесообразно использовать как автономные (ГСС) в приемниках с УВЧ, тщательно экранировать, снабжать аттенюаторами. Важно также правильно выбрать режим гетеродина. При чрезмерно большом колебательном напряжении растет процентное содержание гармоник. Уменьшение амплитуды переменного напряжения способствует уменьшению уровня гармоник. Но снижение этого уровня понижает и напряжение промежуточной частоты в смесителе, так как UjKUcUrei- 69



Проверить наличие гармоник гетеродинов ДВ, СВ и длиннозолновых KB-диапазонов можно по вспохмогательному достаточно чувствительному приемнику. Для этого подключают экраниров(анны1М кабелем вход приемника через конденсатор связи с емкостью 0,5-1 пФ непосредственно к контуру испытываемого гетеродина. Наблюдают за индикатором всп-охмогательного приемника и показаниями, отсчитываемыми со шкалы его настройки и шкалы гетеродина как при перестройке вспомогательного приемника (/гет = const), так и при перестройке гетеродина. Гармоники частоты /гет наблюдают на частотах 2/гет и 3/гет. Амплитуда необходимого напрялсения гетеродина зависит от типа активного элемента преобразователя или смесителя.

Для преобразователей на биполярных транзисторах с большой крутизной 5пр напряжение f/гет для KB диапазонов (49-31 м) достигает 120-140 мВ,. а для диапазонов 25 м и короче - 100-120 мВ. Для полевых транзисторов - 1,5-2 В.

Любой из гетеродинов содержит следующие основные звенья: активный элемент, цепь смещения, цепь ПОС и колебательный контур. Чем ниже добротность контура, тем меньше запасаемая им энергия, тем больше расход тока. выше требования к активному элементу (крутизна должна быть больше). Более стабильные генераторы выполняют на основе контура высокой добротности; с хмалыми потерями, все детали каскада устанавливают на высококачественной изоляции и т. д., так как именно от стабильности частоты, на которой возбуждается резонансная система, будет зависеть стабильность работы гетеродина смесителя и приемника в целом. Если в УВЧ добротность контуров Q лимитировалась полосой пропускания, то в гетеродинах она в основном лимитируется стабильностью генерируемой частоты. Поэтому на детали гетеродина по возможности не должны оказывать дестабилизирующее действие внешние факторы. Кроме увеличения крутизны активного' элемента, желательны стабилизация напряжения питания и ослабление связи контура со смесителем, т. е. с цепью, режим которой изменяется при изменениях сигнала или появлении мощной помехи, что может случайно нарушить уже установившийся режим генерации и тем изменить амплитуду и частоту напряжения на выходе преобразователя (смесителя).

Весьма ненселательными являются паразитные колебания гетеродина. Если крутизна его активного элемента велика, а на некоторой паразитной частоте /пар, не равной частоте генерации (обычно /пар>/гет), образуется нагрузка сопротивление которой достаточно высоко, то на ней выделяется паразитное ВЧ напряжение и может возникнуть самовозбуждение. Для ликватдации этого явления следует всемерно укорачивать соединительные проводники, улучшать фильтрацию напряжения питания и снижать выходное сопротивление его источника. В чувствительном приемнике, установив максимальное усиление, можно прослушать шумы гетеродина, включая и отключая его питание (гнезда антенны закорочены). Специально для проверки можно увеличивать емкость связи гетеродин-смеситель, чтобы уменьшить сопротивление для шумового напряжения. В гетеродинах обычно используются маломощные биполярные ВЧ транзисторы типов П401-П403, ГТЗОЧ (ГТ308, ГТ309).

Гетеродин на полевых транзисторах.- Больш^ие входные и относительно большие, чем у биполярных транзисторов, выходные сопротивления, малые шумы позволяют выполнять гетеродины на полевых транзисторах, удавлетво-



ряющие повышенным требо1ваниям. На рис. 43,а приведена схема гетеродина на толевых транзисторах типов К'П302 или КПЗОЗ (для всех KB диапазодов с /гет до 20-30 МГц), выполненная по схеме параллельного питания.

Заметим, что если в стоковую цепь Т2 включить катушку связи с контуром L2C4, гетеродин можно выполнить на одном Т2 и тем самым схему рис. 43,а

PZ 510


Рис. 43. Гетеродины на полевых транзисторах: а - схема с параллельным питанием (штриховой линией показаны резисторы делителя напряжения в цепи изолированного затвора); б - вариант схемы включения Т2 с изолированным затвором; в - схема с последовательным питанием активного элемента; г - схема с последовательным питанием в виде мостовой схемы

превратить в смесительную. Для этого конденсатор С1 выпаивают, а СЗ отсоединяют от затвора Т2 и соединяют с входом УПЧ. В цепь стока Т1 вводят контур УПЧ, а в цепь его затвора - контур для напряжений сигнала.

Истоковый резистор R1 обоих транзисторов служит элементом связи гетеродина и смесителя. Преимушество устройства. - слабая связь гетеродина с антенной. Рассмотрим, однако, схему рис. 43,а как гетеродинную. Высокое i?Bx позволяет ослабить связь контура L2C4 с транзисторами. Схема коммутации упрощена: нужен только один контакт для каждой катушки, .а упрощение переключателей и исключение лишних соединений увеличивает стабильность /гет. Для KB диапазонов индуктивность дросселя Ы составляет 0,8-1,2 м'Гн (большая индуктивность - для диапазонов 50 и 75 м). Емкость конденсатора C5 25-30 пФ; его заменяют подстроечным конденсатором емкостью 25- 35 пФ. Подбор СЗ позволяет улучшить постоянство напряжения Urer по диапазону, чем, собственно, и оканчивается настройка. Достоинства такого гетеродина: увеличенная мощность, малый уровень гармоник, большая стабильность, нежели у схем на одном полевом транзисторе. Так как схемы подобного типа имеют повышенную мощность, они меньше подвержены изменению режима при случайном изменении сопротивления нагрузки. Наличие общего для полевого транзистора истокового резистора, с помощью которого осуществляется ООС, также способствует увеличению стабильности работы при случайном изменении параметров одного из полевых транзисторов. Так, например.



случайное приращение проводимости одного из полевых транзисторов, эквивалентное некоторому смещению его рабочей точки, автоматически изменяет напряжение на истоюовом резисторе, что вызывает противоположное по знаку смещение рабочей точки другого транзистора, стабилизирующее суммарный ток через этот резистор.

Емкости управляющих переходов полевых транзисторов подключены к контуру последовательно: потенциалы затвора Т1 и нижней точки контура равны О, таи как они соединены с общей шиной. Поэтому изменение емкости любого из переходов, например при изменении температуры, оказывает на контур меньшее влияние. Для работы в диапазонах ДВ и СВ индуктивность дросселя L1 увеличивают с тем, чтобы его индуктивное сопротивление (S>L1 было в несколько раз больше сопротивления контура на частотах этих диапазонов. Один из полевых-транзисторов может быть заменен на транзистор с изолированным затвором. Схема генератора-гетеродина при этом неоколько видоизменяется, как показано на рис. 43,а (штриховая линия слева). Смещение на изолированный затвор поступает с делителя напряжения на резисторах R3 и R4, а соединение его с общей шиной по переменному току осуществляется конденсатором С5. При такой замене целесообразно использовать полевой транзистор с изолированным затвором, имеющий более высокую щрутизну (типа КП305). Замена второго транзистора на транзистор с изолированным затвором несколько сложнее, так как затвор этого прибора непосредственно соединен с контуром. Часть принципиальной схемы при такой замене приведена на рис. 43,6. Сопротивления резисторов R3 и R4 те же, что и в схеме рис. 43,а. Сопротивление резистора R1 для различных по типу полевых транзисторов может быть сохранено, а режим работы установлен резисторами R3 и R4. Сначала их выбирают одинаковыми, достаточно большого сопротивления с тем, чтобы ток питания схемы не увеличивался значительно, а потом один из них подбирают, проверяя работу схемы. Обычно эти резисторы имеют сопротивление 330-470 кОм.

Близкая по принципу действия схема гетеродина представлена на рис. 43,в. В ней транзисторы питаются последовательно (что требует иногда повышения f/пит). Схема работает как двухтактная и отдает повышенную мощность. Истоки полевых транзисторов соединены конденсатором С4. Рассматриваемая схема может быть начерчена в виде моста (рис. 43,г), так как ВЧ потенциал стока первого транзистора благодаря наличию конденсатора СЗ равен потенциалу общей шины. Несложно показать, что в мостовой, сбалансированной схеме взаимное влияние диагоналей мало и цепи активных элементов незначительно влияют на контур L1C2. При уменьшении напряжения источника питания следует уменьшать сопротивления резисторов R1 и R2. Их сопротивления определяют, как и при конструировании УВЧ. Емкость С1 подбирают, как и емкость СЗ в схеме рис. 43,а; на ДВ и на СВ она увеличивается.

Для налаживания и проверки стабильности частоты к гетеродину (через небольшой конденсатор Сев = 2-3 пФ) подключают головку частотомера. Стабильность работы генератора повышается с уменьшением отбираемой мощности. Для этого нагрузку-смеситель выполняют на полевом транзисторе с большой крутизной. Для повышения стабильности полезна стабилизация [/пит, термоизоляция LC контура, использование деталей, мало подверженных влиянию дестабилизирующих факторов, удаление активных элементов и резисторов из объема, в котором находится частотозадающий контур. Гетеродины СВ и KB диапазонов (на 75 и 50 м) можно выполнить по схеме рис. 44,а, на транзисто-



pax типа КП305, КП304, предусмотрев соответствующую полярность (/пит. Преимущество этой схемы - увеличенная добротность LC контура и большее перекрытие по частоте за счет того, что секции КПЕ соединяются последовательно, при этом влияние начальных и паразитных емкостей таиже уменьшается. Сложность подачи смещения в цепь затвора несколько унеличивается за

,С*1 75

cmaff.

RZv\ W0h-1M lp

нпш

R3 300-Ш

ю


Рис. 44. Гетеродины СВ и KB диапазонов:

а - схема с повышенной стабильностью; б - схема типа емкостная трехточка>

счет ввода дополнительного делителя на резисторах, но так как входные сопротивления полевых транзисторов с изолированными затворами велики (входные емкости малы), то сами транзисторы незначительно влияют на резонансную частоту контура. Аналогичная схема на полевом транзисторе с управляющим переходом показана на рис. 44,6. По типу соединения активного элемента с контуром она называется емкостной трехточкой .

Гетеродины с фиксированной настройкой. Используются в KB супергетеродинах, работающих в узкой полосе частот, конвертерах, а также в качестве телеграфных гетеродинов KB приемников. Для самовозбуждения транзисторного гетеродина необходимо организовать цепь ПОС с выхода каскада на его вход. Обычно цепь связи выполняют через LC контур или частотозадающий узкополосный фильтр (лучший фильтр с кварцевыми резонаторами). На рис. 45,а показана схема гетеродина с фильтром - LC контуром, соединяющим вы-

Н

и

лД1 100-360и

R1 3,6н

051.

W,0x1lB

(гОЗ

ФП1П-015

С*1 100 RI ъ,6н

R*1 ЮОк

-CSD-

Т1 П416-ПЧ13 ГТ308-311

<-9В

~25,0х11В

Рис. 45. Гетеродины с малой перестройкой по частоте и фиксированной настройкой:

а - схема с LC фильтром в цепи ПОС; б - схема с пьезоэлектрическим (пьезокерамиче-

ским) фильтром

ходную цепь (цепь коллектора биполярного транзистора) с входной (цепью базы). Степень ПОС (как и в схеме рнс. 44) зависит от ем1кости конденсатора С/, который осуществляет передачу напряжения ОС, а частота генерации - от параметров частотозадающего контура на основе катушки L1 и последовательно соединенных конденсаторов СЗ и С4. Последовательное соединение этих конденсаторов (секций КПЕ) снижает влияние начальных и паразитных емко-



Брестский мясокомбинат. Без переплат колбаса крупным оптом в москве с доставкой от производителя.
1 ... 4 5 6 7 8 9 10 ... 13



Как выбрать диван



История мебели



Стили кухонной мебели



Публикации



Инверторы



Приемники